5月28日，在2023中關村論壇“北京（國際）第三代半導體創新發展論壇”上，國聯萬眾碳化硅功率芯片二期、晶格領域液相法碳化硅襯底生產、特思迪減薄-拋光-CMP設備生產二期、銘鎵半導體氧化鎵襯底及外延片生產項目等6個產業項目簽約，預計總投資近18億元。而正是第三代半導體技術，為我國產業鏈進一步升級打開廣闊空間。
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前沿技術孕新機
在半導體技術日新月異的當下，第三代半導體尤為“亮眼”，業內觀點認為，隨著其應用鋪開，將給諸多產業帶來難以想象的革新。
科學技術部黨組成員、副部長相里斌介紹：“以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體，具有高頻、高效、耐高壓、耐高溫、抗輻射等方面的優越性能，世界主要國家紛紛加速技術攻關和產業布局，國際上第三代半導體材料、器件實現了從研發到規模性量產的跨越，在移動通信、新能源汽車、高速列車、智能電網、新型顯示、通信傳感等領域的應用不斷擴大。”
對于這種世界前沿技術，我國在政策上的支持也不遺余力。據了解，長期以來科技部一直高度重視第三代半導體的技術創新和產業發展，從“十五”期間就開始率先支持第三代半導體材料和器件的研發，經過四個五年計劃的持續支持，建立從材料、器件到應用的第三代半導體全產業鏈創新能力。
“十五”開始，科技部支持半導體照明和氮化鎵微波射頻器件研發，目前半導體照明年產值已超過7000億元，年節電超2000億度；氮化鎵微波射頻器件作為移動通訊基站的關鍵零部件，為5G通訊產業的快速發展發揮重要作用。
此后，第三代半導體的應用領域更加廣泛，“十二五”期間支持的碳化硅和氮化鎵功率半導體，在新能源汽車、光伏發電、軌道交通、智能電網以及通用電源等領域已開始應用推廣；“十三五”期間支持的小間距LED已經在新型顯示領域規模化應用。
產業鏈關鍵一環
如果從國家戰略層面出發分析產業結構，第三代半導體的重要地位不言而喻，隨著國際間產業競爭愈發激烈，半導體芯片成為必爭之地，這也讓構建我國碳化硅供應鏈以及高精尖技術國產化變得愈發重要，第三代半導體是加速國產替代中關鍵一環，通過進一步掌握核心關鍵技術，實現產品自主可控。
業內觀點認為，我國在半導體領域需求龐大，市場潛力充足，可以通過技術迭代以及產能擴張，在第三代半導體領域形成優勢。
針對我國第三代半導體的發展階段，相里斌表示：“總體上看，‘十三五’已基本解決了我國第三代半導體產品和相關裝備的‘有無’問題，‘十四五’將重點解決‘能用、好用’以及可持續創新能力問題。”
專家觀點認為，目前我國第三代半導體發展過程中仍有許多技術難題，需要集聚技術、人才等創新要素強化科技研發，更需要堅持開放創新，積極推動國際科技交流與合作。
具體而言，第三代半導體產業規模大，頭部企業創新引領作用強，所以在發展過程中，要充分發揮企業在技術創新決策、研發投入、科研組織和成果轉化中的主體作用，支持科技領軍企業牽頭布局，強化企業主導的產學研深度融合，推動高層次人才、項目、成果、設施平臺、資本等創新要素向企業聚集，提高創新整體效率。
在第三代半導體產業落地過程中，北京市順義區當仁不讓。據悉，目前順義區規劃了3000余畝土地作為核心承載區，現已開發利用400畝。規劃建設總面積約20萬平方米的三代半標廠，目前一期7.4萬平方米已投入使用，吸引4家企業入駐，二期6.6萬平方米正在建設。
與會專家認為，當前順義區通過持續不斷的基礎設施建設，令第三代半導體產業發展要素一應俱全，在專項政策不斷出臺并持續優化的背景下，第三代半導體產業鏈將在順義區更深扎根。
北京商報記者陶鳳王柱力
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